Samsung сообщила о старте массового производства и коммерческих поставок новой памяти HBM4. Эта компания стала первой, кто внедрил данную технологию в серийное производство. Главная особенность новинки — это использование 4-нм техпроцесса для логических слоев и 10-нм класса для чипов DRAM, что обеспечило впечатляющие характеристики без необходимости значительного изменения архитектуры. Скорость передачи данных достигает 11,7 Гбит/с, с максимальной отметкой в 13 Гбит/с. Пропускная способность увеличилась до 3,3 ТБ/с на стек, что в 2,7 раза превосходит HBM3E. Эти показатели особенно важны для повышения эффективности обучения крупных языковых моделей ИИ. Инженеры удвоили количество контактов ввода-вывода и при этом улучшили энергоэффективность на 40%. На данный момент Samsung предлагает 12-слойные модули объемом 24 и 36 ГБ, а новые 16-слойные решения объемом 48 ГБ планируются в ближайшем будущем. Компания ожидает многократный рост спроса на HBM к 2026 году и начала тестирования усовершенствованной версии HBM4E во второй половине 2026 года, с запуском производства под специфические нужды клиентов в 2027-м.